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一種用于毫米波高速互連的RSICL到GCPW的垂直轉接
加脊基片集成同軸線 (RSICL) 是一種新型傳輸線結構,為其設計性能良好的轉接結構使得 RSICL 可以與傳統平面電路兼容十分重要。本文提出了一種應用于毫米波高速互連的 RSICL 轉接結構,實現了 RSICL-過孔-接地共面波導的垂直轉接。基于 PCB 工藝,對所設計的 RSICL 轉接結構進行了加工和測試。測試結果與仿真結果吻合良好,在 DC-40 GHz范圍內,插入損耗小于 2 dB,回波損耗大于 10 dB。 -
AI時代下的儲能MOSFET
在儲能產品中,金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)扮演著不可或缺的角色。它不僅負責高效的電能轉換,還具備必要的保護功能,確保設備穩定運行并保障用戶安全。例如,在電池管理系統(BMS)和能量控制系統(PCS)中,MOSFET負責實現電池與外界之間的能量轉換。得益于MOSFET的高轉換效率和低導通電阻,能有助于降低能量損耗,從而提升整個儲能系統的能效。 -
[技術前沿]區塊鏈技術與能源行業結合的前景與挑戰
隨著全球對能源可持續發展的需求不斷增加和低碳環保意識的不斷增強,中國在“碳達峰碳中和”國家重大戰略指引下,正在加速發展新能源技術和產業應用,特別是可再生能源、新型儲能、電力數字化等創新技術,推進分布式能源資源的建立和融合。這一能源結構轉型過程中,區塊鏈技術的興起可以為能源行業帶來新的革命性變化,通過賦能新能源生產活動、優化分布式能源交易機制、促進能源資產梯次利用,解決新能源快速推廣帶來的時空維度的供需錯配和能源波動等問題,并減少能源資產廢棄帶來的環境污染問題。 -
3D堆疊的互補金屬氧化物半導體和互補場效應晶體管將摩爾定律推向新高度
過去50年里,影響最深遠的技術成就也許就是晶體管小型化的穩步推進,它們的集成密度越來越高、功耗越來越低。自從20多年前在英特爾開始職業生涯以來,我們就一直聽到這樣的警告:這種無窮小的演變即將結束。然而年復一年,優秀的新型創新成果還在繼續推動半導體行業進一步發展。在這個過程中,我們工程師需要改變晶體管的架構,在提高性能的同時持續縮小其面積并降低功耗。帶領我們走過20世紀下半葉的“平面”晶體管設計,在21世紀10年代前半期被3D鰭狀器件取代。如今,隨著一種新的全環繞柵極(GAA)結構即將投入生產,這些3D鰭狀器件也即將被取代。但是我們必須看得更遠,因為我們縮小這種新型晶體管結構(我們稱之為“RibbonFET”)的能力也有限。 -
天華中威科技微波小課堂_微波多功能組件一體化焊接工藝方法
本文從產品的可制造性設計、工藝設計、工裝設計等方面入手,研究一種一體化焊接工藝,通過規范設計細節、優化焊接工藝、改進焊接工裝,達到合并焊接工序、減少溫度梯度、降低操作難度、提高生產效率、提升裝配質量的目的。